光敏電阻的結構和兩種類型

 從結構上說，光敏電阻它具有一個水平體，該水平體暴露在光下，對光敏感。如同其他的電阻，比如熱敏電阻對熱量敏感，壓敏電阻對電壓敏感。

光敏電阻的基本結構如下所示：

有源半導體區(qū)域通常沉積在半絕緣襯底上，并且有源區(qū)域通常是輕摻雜的。

在許多分立的光致抗蝕劑器件中，使用叉指圖案來增加光致抗蝕劑暴露于光的面積。在有源區(qū)表面上的金屬化層中切割出圖案，從而使光通過。兩個金屬化區(qū)域充當電阻器的兩個觸點。該面積必須做得較大，因為與活動區(qū)域的接觸的電阻需要*小化。

光阻結構顯示叉指圖案以*大化暴露面積。

這種類型的結構廣泛用于看到的許多小型光敏電阻或光敏電阻。叉指模式是很容易辨認的。

用于光致抗蝕劑的材料是半導體，并且包括諸如CdSe，CdS，CdTe，InSb，InP，PbS，PbSe，Ge，Is，GaAs的材料。每種材料在靈敏度等方面均具有不同的屬性。

考慮到使用鎘的環(huán)境問題，該材料在歐洲不用于產(chǎn)品。

光敏電阻的類型

光敏電阻器，LDR或光敏電阻屬于以下兩種類型或類別之一：

本征光敏電阻：   本征光敏電阻使用未摻雜的半導體材料，包括硅或鍺。光子落在LDR上激發(fā)電子將其從價帶移動到導帶。結果，這些電子自由導電。落在設備上的光越多，釋放的電子就越??多，電導率也越高，這導致電阻值越低。

非本征光敏電阻：   非本征光敏電阻是由半導體中摻雜雜質(zhì)的材料制成的。這些雜質(zhì)或摻雜劑在現(xiàn)有價帶之上產(chǎn)生了一個新的能帶。結果，由于較小的能隙，電子需要較少的能量來轉(zhuǎn)移到導帶。

不管光敏電阻器或光敏電阻器的類型如何，這兩種類型都隨入射光水平的提高而顯示出電導率的增加或電阻的下降。

光敏電阻頻率依賴性

示出了光敏電阻的靈敏度隨影響器件的敏感區(qū)域的光的波長而變化。該效果非常明顯，并且發(fā)現(xiàn)如果波長在給定范圍之外，則沒有明顯的效果。

由不同材料制成的設備對不同波長的光有不同的響應，這意味著不同的電子組件可用于不同的應用。

還發(fā)現(xiàn)，非本征光致抗蝕劑傾向于對更長波長的光更敏感，并且可以用于紅外。但是，在使用紅外光時，必須注意避免產(chǎn)生熱量，但是會產(chǎn)生輻射的消光效果。